Super TrenchMOSFET系列產品采用了具有電荷平衡功能的屏蔽柵深溝槽(Shield Gate Deep Trench)技術,全面提升了器件的開關特性和導通特性,同時降低了器件的特征導通電阻(Rsp)和柵極電荷(Qg)。通過采用這一先進技術,最新的75V-150V中壓MOSFET產品的FOM(品質因數(Rdson*Qg))比傳統溝槽型功率MOSFET降低了45%。新款Super Trench MOSFET的軟體二極管性能可以有效降低同步整流中的電壓尖峰,實現在AC/DC電源的同步整流中快速開關。
Super Trench技術全面提升了產品的導通電阻溫度特性,有效控制了器件導通電阻隨溫度增加而上升的幅度,以100V產品為例,對比傳統溝槽型MOSFET產品,Super Trench技術將器件175度下的導通電阻倍增因子(Rdson@Tc=175C/Rdson@Tc=25C)由原有的2.29降低為2.09,從而顯著增強器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性。Super Trench MOSFET產品將更適宜于高溫嚴酷環境下的應用!